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MMDT3906	文件：285.08 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT3906	文件：667.11 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3906	文件：262.81 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMDT3906	文件：1.50347 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3906DW	文件：353.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ·Epitaxialplanardieconstruction ·Idealforlowpoweramplificationandswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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