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MMBT4403LT1	文件：301.08 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor SwitchingTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT4403LT1	文件：147.1 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(PNP Silicon) SwitchingTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4403LT1	文件：254.84 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT4403LT1	文件：38.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT4403LT1	文件：43.01 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT4403LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT4403LT1	文件：156.55 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES •Powerdissipation PCM:0.225W(Tamb=25℃) •PluseDrain ICM:-0.6mA •Reversevoltage V(BR)CBO:-40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT4403LT1	文件：437.16 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors PNPSilicon •RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT4403LT1G	文件：147.1 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(PNP Silicon) SwitchingTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4403LT1G	文件：150.06 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor SwitchingTransistor PNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4403LT1G	文件：168.3 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor SwitchingTransistor PNPSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT4403LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 40V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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