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MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MMBT5551LT1	文件：165.54 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistors(NPN Silicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT5551LT1	文件：41.04 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5551LT1	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5551LT1	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1_15	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5551LT1G	文件：97.56 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT5551LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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