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MMBT5551LT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMBT5551LT1
厂商型号

MMBT5551LT1

参数属性

MMBT5551LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

High Voltage Transistors(NPN Silicon)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

165.54 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Leshan Radio Company
企业简称

LRC乐山无线电

中文名称

乐山无线电股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-30 14:10:00

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MMBT5551LT1规格书详情

High Voltage Transistors

NPN Silicon

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT5551LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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