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MMBT5551LT1G

High Voltage Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT5551LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    MMBT5551LT1

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多MMBT5551LT1供应商 更新时间2025-5-29 23:00:00