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MMBT3906TT1	文件：378.34 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors 文件：378.34 Kbytes 页数：6 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
MMBT3906TT1	文件：87.16 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：87.16 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906TT1G	文件：87.16 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：87.16 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906W	文件：213.55 Kbytes Page：5 Pages	丝印：2A；Package：SOT-323；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：213.55 Kbytes 页数：5 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMBT3906W_10	文件：128.8 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR 文件：128.8 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBT3906W_15	文件：830.36 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors 文件：830.36 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBT3906W_15	文件：449.7 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor 文件：449.7 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
MMBT3906WT1	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors 文件：166.33 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906WT1G	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors 文件：166.33 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3904	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN switching transistor NPN switching transistor in a SOT23 plastic package.\n PNP complement: MMBT3906. • Collector current capability IC = 200 mA\n• Collector-emitter voltage VCEO = 40 V.\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

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产品属性

产品编号：
MMBT3906
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

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