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MMBT3906RFG

350mW, PNP Small Signal Transistor

文件:229.24 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

MMBT3906RFG

350mW, PNP Small Signal Transistor

文件:382.28 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

MMBT3906SL_12

PNP Epitaxial Silicon Transistor

文件:146.29 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT3906-SOT23

PNP Transistors

文件:2.14318 Mbytes 页数:3 Pages

YFWDIODE

佑风微

MMBT3906T

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:432.88 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT3906T

PNP General Purpose Transistor

文件:244.5 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

MMBT3906T

PNP General Purpose Transistor

文件:273.51 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

MMBT3906T

40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

文件:428.15 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT3906T_1

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:432.88 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT3906T_11

PNP General Purpose Transistor

文件:244.5 Kbytes 页数:4 Pages

MCC

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT3906

  • 制造商:

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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FAIRCHILD/仙童
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30000
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更多MMBT390供应商 更新时间2025-11-3 16:01:00