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MJD44H11T4	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors 文件：76.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：114.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors 文件：97.32 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T4G	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors 文件：76.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T5	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors 文件：76.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T5G	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors 文件：76.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T5G	文件：114.33 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：114.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T5G	文件：97.32 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Power Transistors 文件：97.32 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T	文件：300 bytes Page：1 Pages	8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor This 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD44H11T4	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low voltage NPN power transistor These devices are manufactured using low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for general-purpose linear and switching applications. • Low collector-emitter saturation voltage \n• Fast switching speed;	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
MJD44H11T4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
频率 - 跃迁：
85MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

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