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MJD44H11T4数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD44H11T4

参数属性

MJD44H11T4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK

功能描述

Low voltage NPN power transistor
TRANS NPN 80V 8A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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MJD44H11T4规格书详情

描述 Description

These devices are manufactured using low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for general-purpose linear and switching applications.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed

简介

MJD44H11T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD44H11T4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD44H11T4

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_max(A)

    :8

  • PTOT_max(W)

    :20

  • Dc Current Gain_min

    :40

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :1

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :8

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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