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MJD44H11T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD44H11T

参数属性

MJD44H11T 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

功能描述

8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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MJD44H11T规格书详情

描述 Description

This 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

特性 Features

• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

简介

MJD44H11T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD44H11T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD44H11T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 8 A

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1Condition: IC = 8 A

  • IC Cont. (A)

    :8

  • VCEO Min (V)

    :80

  • CBO\ style=\cursor:help\>VCBO (V)

    : 

  • EBO\ style=\cursor:help\>VEBO (V)

    :5

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(sat) (V)

    :1.5Condition: IC = 8 A

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(on) (V)

    : 

  • hFE Min

    :60Condition: VCE = 1 V

  • hFE Max

    : 

  • fT Min (MHz)

    :50Condition: VCE = 10 V

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :DPAK-3

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