| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SOP |
30325 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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DIP |
322 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)DPAK |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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ONDPAK |
7288 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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SSCPSSCP |
9852 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美DPAK-3 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
50000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-252 |
20000 |
24+ |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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ON原装正品 |
33000 |
新批次 |
3月30更新微信报价 可提供技术PDF |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ONTO-252 |
12 |
17+ |
只做进口原装现货深圳 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
32010 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/安森美ORIGINAL |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONTO-252 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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ONDPAK |
69000 |
1434+ |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
3630 |
11+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
MJD44H11T采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD44H11T图片
MJD44H11T4价格
MJD44H11T4价格：￥0.7000品牌：STMicroelectronics
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MJD44H11T4G三极管资讯
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MJD44H11T4G ON 一级代理商，全球最低价，长期供应，深圳市友开发电子科技有限公司
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MJD44H11T4G三极管中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD44H11T4功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4-A功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MJD44H11T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4G-CUT TAPE制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
MJD44H11T5功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11TF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11TM功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
