| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOIC14 |
2909 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)DPAK |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ST/意法TO252 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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STTO-252 |
34970 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-252-3 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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ONTO252 |
10000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6003 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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ST/意法TO-252-3 |
12500 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-252 |
2047 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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STTO-252 |
15000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSC/ON/STTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-252-3 |
7014 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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STM原厂原装 |
57500 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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STMSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-252-3 |
2999 |
1815+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ST专家DPAK |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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ST(意法半导体)DPAK |
20 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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STNN/A |
530000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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STMDPAK |
26181 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
MJD44H11T4采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD44H11T4图片
MJD44H11T4价格
MJD44H11T4价格：￥0.7000品牌：STMicroelectronics
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MJD44H11T4资讯
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MJD44H11T4G ON 一级代理商，全球最低价，长期供应，深圳市友开发电子科技有限公司
长期供应MJD44H11T4GONTO-252一级代理商，全球最低价，长期供应，深圳市友开发电子科技有限公司以下是我司长期大量备货，如有需求请联系，0755-83231678陈小姐QQ:110666318VIPER06LSTR特价：ST（意法半导体）L78L05ACUTR特价：ST（意法半导体）L78L05ABUTR特价：ST（意法半导体）L7
MJD44H11T4中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD44H11T4功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4-A功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MJD44H11T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11T4G-CUT TAPE制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252
产品属性
- 产品编号：
MJD44H11T4
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 2A，1V
- 频率 - 跃迁：
85MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS PWR NPN 8A 80V DPAK
