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MJD42C

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CJ长晶TO-252

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MJD42C

CJ/长电TO-252251

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现货现货现货,滚动式排单供货

深圳市讯顺达科技有限公司

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MJD42C

CJTO-252

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全新原装公司现货

深圳市创新迹电子有限公司

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CJ/长电TO-252

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onsemiDPAK

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MJD42CT4

MJD42CT4

ON(安森美)

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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MJD42CT4G

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深圳市南科功率半导体有限公司

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MJD42CT4G

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NK/南科功率TO-252

2255

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深圳市赛尔通科技有限公司

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ONDPAK

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MJD42CT4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

13071

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深圳市勤思达科技有限公司

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MJD42CT4G

ON/安森美TO-252

12056

23+

全新原装正品现货可开票

深圳市坤融电子科技有限公司

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MJD42CRLG

ONSEMI/安森美

5000

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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MJD42CT4G

ONDPAK

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24+

深圳市高捷芯城科技有限公司

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MJD42CT4G

onsemi(安森美)TO-252-2(DPAK)

18798

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深圳市宝芯创电子有限公司

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MJD42CT4G

ONTO-252AA

8321

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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MJD42C

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原装TO-252

20300

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原装特价MJD42C即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市威雅利发展有限公司

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MJD42C

0NTO-252

50

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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MJD42C

onsemiDPAK

21000

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳雄芯伟创科技有限公司

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MJD42C

CJ/长电TO-252251

40000

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原装正品

深圳市正纳电子有限公司

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MJD42C

ON(安森美)NA

20094

23+
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MJD42CT4G价格

MJD42CT4G价格：￥1.3784品牌：ON

生产厂家品牌为ON的MJD42CT4G多少钱，想知道MJD42CT4G价格是多少？参考价：￥1.3784。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD42CT4G批发价格及采购报价，MJD42CT4G销售排行榜及行情走势，MJD42CT4G报价。

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MJD42C1功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42C-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

MJD42C1G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CG功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CRL功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CRLG功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CT4功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD42CTF功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MJD42C

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.5V @ 600mA，6A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 3A，4V

  • 频率 - 跃迁：

    3MHz

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • 供应商器件封装：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP 100V 6A DPAK

晶体管资料

  • 型号：

    MJD42C

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    20

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