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MJD44H11数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD44H11

参数属性

MJD44H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A IPAK

功能描述

8 A,80 V,NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 80V 8A IPAK

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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MJD44H11规格书详情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

特性 Features

• Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount (\"T4\" Suffix)
• Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
• Low Collector Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes
• Fast Switching Speeds
• Complementary Pairs Simplifies Designs
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

简介

MJD44H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD44H11晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD44H11

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :8

  • VCEO(sus) Min (V)

    :80

  • hFE Min

    :40/60

  • hFE Max

    :-

  • PTM Max (W)

    :1.75/20

  • fT Min (MHz)

    :85/-

  • Package Type

    :DPAK INSERTION MOUNT/DPAK-3

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