MJD42C中文资料6.0 A,100 V,PNP 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJD42C |
参数属性 | MJD42C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK |
功能描述 | 6.0 A,100 V,PNP 双极功率晶体管 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 8:45:00 |
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MJD42C规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (-1 Suffix)
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (T4 Suffix)
• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These are PbFree Packages
简介
MJD42C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD42C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJD42C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.5
- IC Cont. (A)
:6
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:2
- hFE Min
:15
- hFE Max
:75
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:20
- Package Type
:DPAK INSERTION MOUNT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
TO-252/220 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
CJ/长电/长晶 |
24+ |
TO-252/220 |
25836 |
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24+ |
TO-252 |
50000 |
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