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MJD340T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD340T

参数属性

MJD340T 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PWR NPN 0.5A 300V DPAK

功能描述

0.5 A, 300 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
TRANS PWR NPN 0.5A 300V DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 22:58:00

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MJD340T规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications.

特性 Features

• VCEO(sus) =300 V (Min)
• 0.5 A Rated Collector Current
• Pb-Free and are RoHS Compliant

简介

MJD340T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD340T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD340T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : 0.5 A

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    : 

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :300

  • CBO\ style=\cursor:help\>VCBO (V)

    :300

  • EBO\ style=\cursor:help\>VEBO (V)

    :3

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(sat) (V)

    : 

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(on) (V)

    : 

  • hFE Min

    :30Condition: VCE = 10 V

  • hFE Max

    :240Condition: VCE = 10 V

  • fT Min (MHz)

    : 

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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