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MJD32C中文资料100V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MJD32C

参数属性

MJD32C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK

功能描述

100V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:47:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD32C

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR)CEO_Min_(V)

    :100

  • IC_(A)

    :3

  • hFE _Min

    :10

  • hFE _Max

    :50

  • VCE_(V)

    :4

  • IC_(mA)

    :3000

  • VCE(sat)(V)

    :1.2

  • IC_(mA)1

    :3000

  • IB_(mA)

    :375

  • fT _Min _(MHz)

    :3

  • PTM _Max_(W)

    :1.5

  • Package_Outlines

    :TO-251/252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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