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MJD31C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD31C

参数属性

MJD31C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK

功能描述

100V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-9 8:46:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD31C

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR) CEO min (V)

    :100

  • IC (A)

    :3

  • hFEmin

    :10

  • hFEmax

    :50

  • @_VCE (V)

    :4

  • VCE (sat) (V)

    :1.2

  • @_IC (mA)

    :3000

  • @_IB (mA)

    :375

  • fT (MHz) min.

    :3

  • PD (W) max.

    :1.25

  • Package Outlines

    :TO-251/252

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