MJD41CTF中文资料MJD41CTF: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MJD41CTF |
参数属性 | MJD41CTF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 6A TO252AA |
功能描述 | MJD41CTF: NPN Epitaxial Silicon Transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 15:47:00 |
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MJD41CTF规格书详情
描述 Description
MJD41CTF
特性 Features
通用放大器和低速开关应用
用于表面贴装的 D-PAK应用
用于表面贴装应用的引脚排列(无后缀)
直引脚(I-PAK,“-I”后缀)
电气特性类似于流行的 TIP41 和 TIP41C
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MJD41CTF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD41CTF晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MJD41CTF
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 6 Adc
- IC Cont. (A)
:6
- VCEO Min (V)
:100
- VCBO (V)
:100
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:Condition: IC = 6 Adc
- hFE Min
:Condition: IC = 3A
- hFE Max
:Condition: IC = 3A
- fT Min (MHz)
:Condition: IC = 500 mA
- PTM Max (W)
:20
- Package Type
:DPAK-3
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