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MJD350中文资料互补硅功率晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

MJD350

参数属性

MJD350 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

功能描述

互补硅功率晶体管
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:38:00

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MJD350规格书详情

描述 Description

The MJD340 and MJD350 form complementary NPN -PNP pairs.

They are manufactured using Medium Voltage Epitaxial-Planar technology, resulting in a rugged high performance cost-effective transistor.

特性 Features

• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
• MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
• COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
• ELECTRICAL SIMILAR TO MJE340 AND MJE350
• SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \\\"T4\\\")

简介

MJD350属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD350晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD350

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :300

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :300

  • Collector Current_max(A)

    :0.5

  • Collector Current_abs_max(A)

    :0.5

  • Dc Current Gain_min

    :30

  • Dc Current Gain_max

    :240

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.05

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SST
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