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MJD44H11中文资料NPN, 80V, 8A, TO252数据手册Diodes规格书

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厂商型号

MJD44H11

参数属性

MJD44H11 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 8A IPAK

功能描述

NPN, 80V, 8A, TO252

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-25 23:01:00

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MJD44H11规格书详情

描述 Description

BVCEO > 80V
IC = 8A Continuous Collector Current
ICM = 16A Peak Pulse Current
Ideal for Power Switching or Amplification Applications
Complementary PNP Type: MJD45H11
Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
An automotive-compliant part is available under separate datasheet (MJD44H11Q)







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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 产品编号:

    MJD44H11-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    85MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 8A IPAK

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