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MJD41C	文件：278.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A ·ComplementtoTypeMJD42C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD41C	文件：563.62 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD41C	文件：359.93 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD41C	文件：89.89 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD41C	文件：123.02 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD41C	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD41C-251	文件：297.53 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A ·ComplementtoTypeMJD42C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD41C-252	文件：278.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A ·ComplementtoTypeMJD42C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD41CJ	文件：229.4 Kbytes Page：11 Pages	100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD41series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds Applications •Powermanagement •Loadswitch •Linear	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD41C-Q	文件：222.45 Kbytes Page：10 Pages	Marking：MJD41CA；Package：DPAK；100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •ElectricallysimilartopopularMJD41series •Lowcollectoremittersaturationvoltage •Fastswitchingspeeds •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforusei	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

晶体管资料

型号：
MJD41C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
6
wtest：
20

详细参数

型号：
MJD41C
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Complementary Power Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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