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MJD41C-QJ	文件：222.45 Kbytes Page：10 Pages	100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Features and benefits • High thermal power dissipation capability • High energy efficiency due to less heat generation • Electrically similar to popular MJD41 series • Low collector emitter saturation voltage • Fast switching speeds • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use i 文件：222.45 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MJD41CRLG	文件：121.38 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Elect 文件：121.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41CT4G	文件：121.38 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Elect 文件：121.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41C_06	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：78.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41C_11	文件：123.02 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：123.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41C_16	文件：89.89 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors 文件：89.89 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41C_17	文件：359.93 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：359.93 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD41CRL	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：78.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41CRLG	文件：78.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：78.58 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD41CRLG	文件：123.02 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：123.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.5
IC Cont. (A)：
6
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
2
hFE Min：
15
hFE Max：
75
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
20
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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