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MJD31C	文件：49.27 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications NPN Epitaxial Silicon Transistor Features • General Purpose Amplifier • Low Speed Switching Applications • Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C 文件：49.27 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MJD31C	文件：150.43 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTORS Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi 文件：150.43 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31C	文件：129.229 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi 文件：129.229 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31C	文件：126.03 Kbytes Page：5 Pages	NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 100V • IC = 3A high Continuous Collector Current • ICM = 5A Peak Pulse Current • Ideal for Power Switching or Amplification Applications • Complementary PNP Type: MJD32C • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” 文件：126.03 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD31C	文件：241.24 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage NPN power transistor Description The device is manufactured in Planar technology with “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. General features ■ This device is qualified for automotive application ■ Surface-mounting 文件：241.24 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD31C	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
MJD31C	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
MJD31C	文件：372.99 Kbytes Page：7 Pages	100V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：372.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD31C	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31C	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
MJD31C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

产品属性

产品编号：
MJD31C
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 100V 3A DPAK

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