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MJD31CT4G	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31CT4G	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31CT4G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：100.84 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31T4	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31T4G	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31T4G	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：100.84 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31T4G	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31	文件：300 bytes Page：1 Pages	3.0 A，40 V，NPN 双极功率晶体管 The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD31, MJD31C (NPN); and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices. • Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel\n• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series\n• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD31	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
MJD31C	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压NPN功率晶体管 The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. • Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel \n• Complementary to the PNP type MJD32C;	ST 意法半导体	ST

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晶体管资料

型号：
MJD31
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（PA）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
3
wtest：
15

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.8
hFE Min：
10
hFE Max：
50
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
15
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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