MJD31C中文资料低压NPN功率晶体管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
MJD31C |
| 参数属性 | MJD31C 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 3A DPAK |
| 功能描述 | 低压NPN功率晶体管 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:34:00 |
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MJD31C规格书详情
描述 Description
The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
特性 Features
• Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel
• Complementary to the PNP type MJD32C
简介
MJD31C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJD31C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MJD31C
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：100
- Collector-Base Voltage_max(V)
：100
- Collector Current_max(A)
：3
- Collector Current_abs_max(A)
：3
- Dc Current Gain_min
：10
- Dc Current Gain_max
：50
- Test Condition for hFE (IC)
：3
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：4
- VCE(sat)_max(V)
：1.2
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：375
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
DIODES/美台 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
150 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO252 |
20000 |
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23+ |
TO-252 |
18689 |
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500000 |
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ST |
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TO-252 |
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询价 | |||
ON |
25+ |
DPAK |
18000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
504580 |
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询价 |
