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MJD112T4G

Complementary Darlington Power Transistors

文件:144.73 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD112T4G

Complementary Darlington Power Transistors

文件:101.63 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD112T4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD112T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MJD112T4供应商 更新时间2025-12-8 9:40:00