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MJB44H11G	文件：296.78 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Pb-free package are available ·Fast switching speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·General purpose amplification and switching such as out or driver stages in applicati 文件：296.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJB44H11T4	文件：75.98 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount Complementary power transistors are for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. Features • Low Collector−Emitter Satu 文件：75.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11T4G	文件：184.81 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount Complementary power transistors are for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. Features • Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A • F 文件：184.81 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11_05	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：115.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11T4	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11T4G	文件：115.99 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：115.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11T4G	文件：64.26 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount 文件：64.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJB44H11T4-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级低压NPN功率晶体管 This device is an NPN transistor manufactured using new low voltage planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage. • Designed for automotive applications and AEC- Q101 qualified \n• Low collector-emitter saturation voltage \n• Fast switching speed;	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
MJB44H11
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK

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