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MUN5330DW	文件：2.64229 Mbytes Page：32 Pages	DUALBIASRESISTORTRANSISTORNPN&PNPWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingle transistorwithamonolithicbiasnetworkconsisting oftworesistors;aseriesbaseresistoranda baseemitterresistor.Thesedigitaltransistorsare designedtoreplaceasingledeviceanditsexternal resistorbiasnetwor	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
NX5330SA	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5330SA-AZ	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEFOROTDRAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PBSS5330PA	文件：709.22 Kbytes Page：16 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PAS	文件：735.73 Kbytes Page：18 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. NPNcomplement:PBSS4330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：104.52 Kbytes Page：12 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequiremen	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：422.4 Kbytes Page：13 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement –DC/DCconverters –Supplylines	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PH5330	文件：239.68 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaSOT669(LFPAK)package. Productavailability: PH5330inSOT669(LFPAK). Features ■Logiclevelcompatible ■Lowdrivecurrent ■High-densitymounting ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconve	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH5330E	文件：327.87 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits High	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
MIC5330-OOYML
功能描述：
低压差稳压器 - LDO Dual 300mA LDO in 2mm by 2mm MLF (Lead Free Compliant)
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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