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NX5330SA-AZ	文件：184.13 Kbytes Page：5 Pages	1 310 nm InGaAsP MQW-FP LASER DIODE FOR OTDR APPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PBSS5330PA	文件：709.22 Kbytes Page：16 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PAS	文件：735.73 Kbytes Page：18 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. NPNcomplement:PBSS4330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：104.52 Kbytes Page：12 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequiremen	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330X	文件：422.4 Kbytes Page：13 Pages	30V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement –DC/DCconverters –Supplylines	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PH5330	文件：239.68 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaSOT669(LFPAK)package. Productavailability: PH5330inSOT669(LFPAK). Features ■Logiclevelcompatible ■Lowdrivecurrent ■High-densitymounting ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DC-to-DCconve	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH5330E	文件：327.87 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits High	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PI-5330	文件：363.21 Kbytes Page：1 Pages	TargetContact	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PM5330	文件：153.69 Kbytes Page：6 Pages	powermeterPowerLogicPM5330,modbus,upto31stHarmonic,256KB2DI/2DO35alarms	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

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