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PBSS5330PA	文件：709.22 Kbytes Page：16 Pages	Marking：AJ；Package：DFN2020-3；30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinan ultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewith mediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS4330PA. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emitter	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PAS	文件：735.73 Kbytes Page：18 Pages	Marking：E2；Package：DFN2020D-3；30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. NPNcomplement:PBSS4330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330PA_15	文件：223.53 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330PAS_15	文件：255.91 Kbytes Page：18 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5330PA,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5330PA,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-PowerUDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A 3HUSON	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5330PASX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A DFN2020D-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PBSS5330PA
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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