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PBSS5330PAS中文资料30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书
PBSS5330PAS规格书详情
描述 Description
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads.NPN complement: PBSS4330PASFeatures and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• High temperature applications up to 175 °C
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) area requirements
• Leadless small SMD plastic package with soldarable side pads
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 产品编号：
PBSS5330PASX
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
320mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
175 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
165MHz
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN2020D-3
- 描述：
TRANS PNP 30V 3A DFN2020D-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
SOT-89 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
恩XP |
25 |
WLCSP25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-89 |
20000 |
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恩XP |
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SOT |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
23+ |
SOT-89 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
21+ |
SOT-23 |
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