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PBSS5330X	文件：104.52 Kbytes Page：12 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION PNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requiremen 文件：104.52 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5330X	文件：422.4 Kbytes Page：13 Pages	丝印：1S；Package：SOT89；30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •SOT89 (SC-62) package •Low collector-emitter saturation voltage VCEsat •High collector current capability: IC and ICM •Higher efficiency leading to less heat generation •Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS •Power management –DC/DC converters –Supply line s 文件：422.4 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330X	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5330X_15	文件：195.74 Kbytes Page：12 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：195.74 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS5330X	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION\nPNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.FEATURES\n• SOT89 (SC-62) package\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• Reduced printed-circuit board requirements.A • SOT89 (SC-62) package\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• Reduced printed-circuit board requirements.;	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS5330X	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. • SOT89 (SC-62) package\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability: IC and ICM\n• Higher efficiency leading to less heat generation\n• Reduced printed-circuit board requirements.\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS5330X	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管	YJ 益嘉源	YJ
PBSS5330X,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A SOT89	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330X,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A SOT89	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5330XZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A SOT89	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
1600
VCEO [max] (V)：
-30
IC [max] (A)：
-3
ICM [max] (A)：
-5
hFE [min]：
200
fT [min] (MHz)：
100
RCEsat [typ] (mΩ)：
80
RCEsat [max] (mΩ)：
107
VCEsat [max] (mV)：
-320

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