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PBSS5330X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5330X
厂商型号

PBSS5330X

参数属性

PBSS5330X 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 3A SOT89

功能描述

30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

1S

封装外壳

SOT89 / TO-243AA

文件大小

422.4 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 18:04:00

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PBSS5330X规格书详情

FEATURES

•SOT89 (SC-62) package

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability: IC and ICM

•Higher efficiency leading to less heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

•Power management

–DC/DC converters

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

•Peripheral drivers

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)

–Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5330X,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    320mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    175 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 3A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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