PBSS5320T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS5320T |
参数属性 | PBSS5320T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A TO236AB |
功能描述 | 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
85.63 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-10 12:05:00 |
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PBSS5320T规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS4320T.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and
corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
• Power management applications
• Low and medium power DC/DC convertors
• Supply line switching
• Battery chargers
• Linear voltage regulation with low voltage drop-out
(LDO).
产品属性
- 产品编号:
PBSS5320T,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 300mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 20V 2A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXEPERIA |
21+ |
TO23-6 |
30000 |
全新原装 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23-6 |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23 |
201000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-23 |
20000 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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