首页>PBSS5320T>规格书详情

PBSS5320T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

PBSS5320T

参数属性

PBSS5320T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A TO236AB

功能描述

20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

ZH*

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

85.63 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2025-12-14 14:08:00

人工找货

PBSS5320T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBSS5320T规格书详情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complement: PBSS4320T.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and

corresponding low RCEsat

• High collector current capability

• High collector current gain

• Improved efficiency due to reduced heat generation.

APPLICATIONS

• Power management applications

• Low and medium power DC/DC convertors

• Supply line switching

• Battery chargers

• Linear voltage regulation with low voltage drop-out

(LDO).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5320T,215

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
SOT-23
3000
原装正品,支持实单
询价
NEXPERIA
21+
SOT23
45000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
恩XP
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
恩XP
24+
N/A
20000
原厂直供原装正品
询价
恩XP
22+
SOT23
6000
十年配单,只做原装
询价
NEXPERIA/安世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
询价
Nexperia
2023+
TO236
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
NK/南科功率
2025+
SOT23
986966
国产
询价
NEXPERIA/安世
2021+
SOT-23
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
恩XP
25+
SOT-23
9200
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价