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PBSS5250X分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5250X
厂商型号

PBSS5250X

参数属性

PBSS5250X 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 2A SOT89

功能描述

50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-243AA

文件大小

47.07 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-29 14:36:00

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PBSS5250X规格书详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package.

NPN complement: PBSS4250X.

FEATURES

• SOT89 (SC-62) package

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability: IC and ICM

• Higher efficiency leading to less heat generation

• Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

• Power management

– DC/DC converters

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting.

• Peripheral drivers

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).

– Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5250X,135

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    320mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 2A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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