PBSS5240T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS5240T |
参数属性 | PBSS5240T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 2A TO236AB |
功能描述 | 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
76.67 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
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PBSS5240T规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: PBSS4240T.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage
• High current capability
• Improved device reliability due to reduced heat
generation
• Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged
transistor.
APPLICATIONS
• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• DC/DC converter applications
• Strobe flash units
• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers).
产品属性
- 产品编号:
PBSS5240TVL
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 100mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 40V 2A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia/安世 |
24+ |
SOT-23 |
72524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
恩XP |
2016+ |
SOT23-3 |
3000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
8000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT-23 |
12300 |
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恩XP |
25+ |
SOT23 |
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恩XP |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
16+ |
SOT23 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 | ||
原装 |
24+ |
标准 |
50176 |
热卖原装进口 |
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恩XP |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |