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MGF4951	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4952A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4953A	文件：205.79 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) DESCRIPTION The MGF4953A/MGF4954A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4953A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF49 文件：205.79 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package DESCRIPTION The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=20GHz NFmin. = 0.55dB (Typ.) High associated gain @ f=20GHz 文件：119.6 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4954A	文件：205.79 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT (Leadless Ceramic Package) DESCRIPTION The MGF4953A/MGF4954A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4953A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF49 文件：205.79 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A_04	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4952A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4953A_11	文件：141.84 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise GaAs HEMT 文件：141.84 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Frequency Typ：
12GHz
Drain-Source Voltage Typ：
2V
Drain Current：
10mA
Package：
GF-55
Noise Figure：
0.40(typ) 0.50(max)dB
Associated Gain：
11.0(min) 12.0(typ)dB
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多MGF495供应商更新时间2026-4-18 14:14:00

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