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MGF4951	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：182.13 Kbytes Page：4 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT DESCRIPTION The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=12GHz MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.) MGF495 文件：182.13 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A_04	文件：184.61 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT 文件：184.61 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF4951A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4951A DESCRIPTION\nThe MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.FEATURES\nLow noise figure @ f=12GHz\nMGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)\nMGF4952A : NFmin. = 0.60d Low noise figure @ f=12GHz\nMGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)\nMGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.);	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

技术参数

Frequency Typ：
12GHz
Drain-Source Voltage Typ：
2V
Drain Current：
10mA
Package：
GF-55
Noise Figure：
0.40(typ) 0.50(max)dB
Associated Gain：
11.0(min) 12.0(typ)dB
RoHS Directive：
2011/65/EU RoHS2 Compliant

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更多MGF4951供应商更新时间2026-10-22 16:26:00

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