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MGF4951A数据手册MITSUBISHI中文资料规格书

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厂商型号

MGF4951A

功能描述

High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4951A

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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MGF4951A规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The MGF4951A/MGF4952A super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in C to K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.FEATURES
Low noise figure @ f=12GHz
MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)
MGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.)

特性 Features

Low noise figure @ f=12GHz
MGF4951A : NFmin. = 0.40dB (Typ.)
MGF4952A : NFmin. = 0.60dB (Typ.)

技术参数

  • 制造商编号

    :MGF4951A

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Frequency Typ

    :12GHz

  • Drain-Source Voltage Typ

    :2V

  • Drain Current

    :10mA

  • Package

    :GF-55

  • Noise Figure

    :0.40(typ) 0.50(max)dB

  • Associated Gain

    :11.0(min) 12.0(typ)dB

  • Quarity level

    :-

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

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