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MGF4841CL中文资料High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Small Signal GaAs FET/HEMTs,InGaP HBT MGF4841CL数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

MGF4841CL

功能描述

High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Small Signal GaAs FET/HEMTs,InGaP HBT MGF4841CL

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MGF4841CL

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Frequency

    :24.3GHz

  • Drain-Source Voltage Typ

    :1.5V

  • Drain Current

    :VGS=0VmA

  • Package

    :GD-32

  • Linear Power Gain Min

    :6dB

  • Output Power at 1dB Gain Compression

    :5.5(min) 7.6(typ)dBm

  • Quarity level

    :AEC-Q 101 qualified

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

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