L,S BAND POWER GaAs FET?

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MITSUBISHI

三菱电机

L,S BAND POWER GaAs FET

DESCRIPTION\nThe MGF0907B, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers.FEATURES\n• Class A operation\n• High output power\n   P1dB=40.0dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n   GLP=10.0dB(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power added efficiency\n   P.A.E =37%(TYP. • Class A operation\n• High output power\n   P1dB=40.0dBm(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power gain\n   GLP=10.0dB(TYP.) @f=2.3GHz\n• High power added efficiency\n   P.A.E =37%(TYP.) @f=2.3GHz,P1dB\n• Hermetically sealed metal-ceramic package with ceramic lidAPPLICATION\n• For UHF Band power amplifiers;

MinebeaMitsumi

美蓓亚三美

L,S BAND POWER GaAs FET

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High-power GaAs FET (small signal gain stage)

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