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NTR4101P	文件：232.24 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFET Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •These	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
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NTR4101P	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel,Trench,SOT-23-20V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTRV4101P	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel,Trench,SOT-23-20V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTRV4101PT	文件：464.92 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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