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NTR4101P	文件：56.55 Kbytes Page：6 Pages	Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerManagementforPortables •Load/PowerManagementforComputing •ChargingCircuitsandBatteryProte	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101P	文件：232.24 Kbytes Page：2 Pages	Trench Power MOSFET Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •These	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
NTR4101P	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET – Power, Single P-Channel, Trench, SOT-23 -20 V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101P	文件：81.47 Kbytes Page：5 Pages	Trench Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101P_V01	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET – Power, Single P-Channel, Trench, SOT-23 -20 V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101PT1	文件：56.55 Kbytes Page：6 Pages	Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23 Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerManagementforPortables •Load/PowerManagementforComputing •ChargingCircuitsandBatteryProte	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTR4101PT1G	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET – Power, Single P-Channel, Trench, SOT-23 -20 V Features •Leading−20VTrenchforLowRDS(on) •−1.8VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4101PT1G	文件：465.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTR4101P_10	文件：125.45 Kbytes Page：5 Pages	Trench Power MOSFET ??0 V, Single P?묬hannel, SOT??3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTR4101P
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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