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MCG10P03	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
RFD10P03	文件：272.14 Kbytes Page：12 Pages	10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The 文件：272.14 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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RFD10P03L	文件：272.14 Kbytes Page：12 Pages	10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET 10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET These products are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. The 文件：272.14 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Polarity：
P-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
-30
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±12
Drain Current IDMAX (A)：
-10
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.026
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
1550
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
-0.6
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
-1.5
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

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