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RFD10P03LSM	文件：133.99 Kbytes Page：8 Pages	10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET 10A,30V,0.200Ohm,LogicLevel,P-ChannelPowerMOSFET TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.The	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD10P03LSM	文件：272.14 Kbytes Page：12 Pages	10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET Description TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFD10P03LSM9A	文件：272.14 Kbytes Page：12 Pages	10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET Description TheseproductsareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchas	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
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RFP10P03L	文件：955.58 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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TS10P03G	文件：50.04 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase10.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers FEATURES -Glasspassivatedjunction -Idealforprintedcircuitboard -TypicalIRlessthan0.1μA -Highsurgecurrentcapability -ULRecognizedFile#E-326243 -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21defini	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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详细参数

型号：
RFD10P03LSM
功能描述：
MOSFET TO-252AA P-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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