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PBSS5160DS	文件：143.46 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160DS	文件：263.34 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160K	文件：124.85 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT346(SC-59A)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160PAP	文件：276.04 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160PAP	文件：751.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAPS	文件：763.04 Kbytes Page：19 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QA	文件：264.01 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160QA	文件：743.81 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：698.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

详细参数

型号：
MAX5160MEUA-T
功能描述：
数字电位计 IC
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
电阻：
200 Ohms
温度系数：
35 PPM/C
容差：
25 % POT
数量：
Dual 每 POT
分接头：
256
弧刷存储器：
Volatile
数字接口：
Serial(3-Wire, SPI)
描述/功能：
Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
电源电流：
27 uA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TQFN-16
封装：
Reel

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