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PBSS4350X	文件：277.99 Kbytes Page：12 Pages	50V,3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5350X 2.Featuresandbenefits •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolesshea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350X	文件：913.97 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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PBSS4350Z	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350Z	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PBSS4350Z	文件：226.3 Kbytes Page：12 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350Z. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC •Higherefficiencyl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PXB4350E	文件：869.89 Kbytes Page：66 Pages	ICsforCommunications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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RO4350	文件：813.97 Kbytes Page：16 Pages	RFPowerFieldEffectTransistor 865--960MHz,28WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
RO4350	文件：461.16 Kbytes Page：13 Pages	RFPowerLDMOSTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This50wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts, IDQ=1800mA,Pout=50WattsAvg.,InputSign	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RO4350B	文件：474.4 Kbytes Page：16 Pages	RFPowerLDMOSTransistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalDohertySingle--Carrier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RO4350B	文件：393.79 Kbytes Page：18 Pages	RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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