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PBSS4350T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4350T
厂商型号

PBSS4350T

参数属性

PBSS4350T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 2A TO236AB

功能描述

50 V; 3 A NPN low VCEsat transistor
TRANS NPN 50V 2A TO236AB

丝印标识

ZC

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.30095 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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PBSS4350T规格书详情

PBSS4350T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBSS4350T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

1. General description

NPN low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package.

PNP complement: PBSS5350T

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat

• High collector current capability

• High collector current gain

• Improved efficiency due to reduced heat generation

3. Applications

• Power management applications

• Low and medium power DC/DC converters

• Supply line switching

• Battery chargers

• Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PBSS4350TVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    370mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 2A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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