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RO4350	文件：813.97 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 865--960MHz,28WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom865to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerfor	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
RO4350	文件：461.16 Kbytes Page：13 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This50wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts, IDQ=1800mA,Pout=50WattsAvg.,InputSign	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：474.4 Kbytes Page：16 Pages	RF Power LDMOS Transistor N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This63wattasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesigned forcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneous bandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. TypicalDohertySingle--Carrier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：295.24 Kbytes Page：7 Pages	GaN Doherty Hybrid Amplifier Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange	RFHICRFHIC RFHIC
RO4350B	文件：586.38 Kbytes Page：6 Pages	GaN Doherty Hybrid Amplifier	RFHICRFHIC RFHIC
RO4350B	文件：1.28273 Mbytes Page：8 Pages	GaN Hybrid Power Amplifier	HONGFAXiamen Hongfa Electroacoustic Co., Ltd. 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司
RO4350B	文件：985.86 Kbytes Page：21 Pages	RF Power LDMOS Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
RO4350B	文件：437.43 Kbytes Page：15 Pages	RF Power LDMOS Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
RO4350B	文件：1.27025 Mbytes Page：20 Pages	RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
RO4350B	文件：586.39 Kbytes Page：6 Pages	GaN Doherty Hybrid Amplifier	RFHICRFHIC RFHIC
RO4350B	文件：581.27 Kbytes Page：6 Pages	GaN Doherty Hybrid Amplifier	RFHICRFHIC RFHIC
RO4350B	文件：948.24 Kbytes Page：19 Pages	RF Power LDMOS Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
RO4350B	文件：393.79 Kbytes Page：18 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：673.07 Kbytes Page：18 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：576.54 Kbytes Page：18 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：672.75 Kbytes Page：17 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：377.12 Kbytes Page：13 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
RO4350B	文件：868.17 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
4350	文件：158.47 Kbytes Page：1 Pages	HEYClean®BrassPressureEqualizationandDrainPlugs	Heyco Heyco

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详细参数

型号：
RO4350
制造商：
FREESCALE
制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
功能描述：
RF Power Field Effect Transistor

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